Физические основы электроники (задачи)




Корзина:

Ваша корзина пуста





Главная » Естественно-научные дисциплины » Физика

Физические основы электроники (задачи)

Краткое содержание работы
1. Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К. 2. Вычислить собственную концентрацию носи...

Задание / Часть работы

1. Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К.

2. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде индия при 300К, если ширина его запрещенной зоны 0,33 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc = 0,023m0, mv=0,43m0. Определить удельное сопротивление материала, если Мn=33000 см2/В*с, Мр = 460 см2/В*с.

3. Обратный ток насыщения полупроводникового диода Is=1 мкА, при t1=27oC и Is= 10мкА при t2=65оС. Постройте вольтамперную характеристику этого диода при температурах 27 и 65оС, если напряжение изменяется от -2 до 0,5 В. Определите коэффициент выпрямления для диода для каждой температуры при +/- 0,5В.

4. Определить ЭДС Холла, возникающую в пластине германия толщиной 0,5 ммс собственной электропроводимостью при температуре Т=300 К, если в доль пластины проходит электрический ток I=10 мА. Вектор магнитной индукции(В=0,6 Тл) перпендикулярен плоскости пластины. Собственная концентрация носителей заряда равна 2,2*1019м -3.

5. изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник n-типа, Ам больше Аn для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) подано прямое смещение; в) подано обратное смещение. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х.

6. От какого парамеира полупроводникового материала зависит высота потенциального барьера p-n-перехода при одинаковой концентрации примесей в n- и p- областях. В каком из полупроводниковых материалов – арсениде галлия или фосфиде галлия – больше контактная разность потенциалов.
Тип работы:

Рейтинг: 5.0/1
400 руб. 200 руб.
  • Артикул:
  • Файл доступен для скачивания сразу после оплаты!

    Размер:
    231.0Kb
  • Год: 2014



Покупка готовой работы - пошаговая инструкция








Почему нам доверяют?



Все покупки на Рефератыч.рф абсолютно безопасны, автор получит деньги только в том случае если работа, была Вам полезна.



Мы гарантируем Вам низкие цены,
поэтому если Вы вдруг нашли где то работу дешевле, напишите нам и мы сделаем цену для Вас еще ниже. Гарантированно!



Самое важное для нас - Ваш успех на защите! Поэтому, если вдруг возникают какие-либо претензии к работе сразу пишите нам!




Мы работаем

c 9:00 до 19:00
суббота с 10.00 до 16.00,
воскресенье — выходной


Вопрос-ответ

Какие гарантии Вы даете?
Если у преподавателя будут какие то замечания, Вы их исправите?
Как можно оплатить работу?






Рефератыч.рф - это специализированный портал где Вы сможете найти ответы на тесты, заказать курсовую,
реферат или диплом. Почитать статьи и новости нашего портала. Надеемся что будем Вам полезны,
а наша помощь сэконмит Вам кучу времени, для действительно нужных дел! Рады будем Вам помочь!
© Рефератыч.рф



Оплатить легко:


Главная  /  О компании  /  Услуги и цены  /  Гарантии  /  Контакты  /  Экспресс-заказ  /  Оценка стоимости  /  FAQ  /  Способы оплаты  /  Политика конфиденциальности