Физические основы электроники (задачи)




Корзина:

Ваша корзина пуста





Главная » Естественно-научные дисциплины » Физика

Физические основы электроники (задачи)

Краткое содержание работы
1. Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К. 2. Вычислить собственную концентрацию носи...

Задание / Часть работы

1. Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К.

2. Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде индия при 300К, если ширина его запрещенной зоны 0,33 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc = 0,023m0, mv=0,43m0. Определить удельное сопротивление материала, если Мn=33000 см2/В*с, Мр = 460 см2/В*с.

3. Обратный ток насыщения полупроводникового диода Is=1 мкА, при t1=27oC и Is= 10мкА при t2=65оС. Постройте вольтамперную характеристику этого диода при температурах 27 и 65оС, если напряжение изменяется от -2 до 0,5 В. Определите коэффициент выпрямления для диода для каждой температуры при +/- 0,5В.

4. Определить ЭДС Холла, возникающую в пластине германия толщиной 0,5 ммс собственной электропроводимостью при температуре Т=300 К, если в доль пластины проходит электрический ток I=10 мА. Вектор магнитной индукции(В=0,6 Тл) перпендикулярен плоскости пластины. Собственная концентрация носителей заряда равна 2,2*1019м -3.

5. изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник n-типа, Ам больше Аn для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) подано прямое смещение; в) подано обратное смещение. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х.

6. От какого парамеира полупроводникового материала зависит высота потенциального барьера p-n-перехода при одинаковой концентрации примесей в n- и p- областях. В каком из полупроводниковых материалов – арсениде галлия или фосфиде галлия – больше контактная разность потенциалов.
Тип работы:

Рейтинг: 5.0/1
400 руб. 200 руб.
  • Артикул:
  • Файл доступен для скачивания сразу после оплаты!

    Размер:
    231.0Kb
  • Год: 2014



Покупка готовой работы - пошаговая инструкция







Просмотренные ранее товары
Правовая статистика.Тест МЭСИ
В государственную отчетность ГИБДД включаются:.. В зависимости от времени регистрации фактов различают следующие виды статистического наблюдения:... В зависимости от степени охвата единиц совокупности различают следующие виды статистического наблюдения...
Товароведная характеристика сыров сычужных твердых
Раздел 1. Общая часть (вводная) 1.1.История происхождения товара 1.2.Понятие о сырах (строение, химический состав, пищевая ценность, значение для организма). Раздел 2. Пояснительная (Технологическая) часть 2.1.Классификация товара на группы, виды, клас...


Почему нам доверяют?



Все покупки на Рефератыч.рф абсолютно безопасны, автор получит деньги только в том случае если работа, была Вам полезна.



Мы гарантируем Вам низкие цены,
поэтому если Вы вдруг нашли где то работу дешевле, напишите нам и мы сделаем цену для Вас еще ниже. Гарантированно!



Самое важное для нас - Ваш успех на защите! Поэтому, если вдруг возникают какие-либо претензии к работе сразу пишите нам!




Мы работаем

c 9:00 до 19:00
суббота с 10.00 до 16.00,
воскресенье — выходной


Вопрос-ответ

Какие гарантии Вы даете?
Если у преподавателя будут какие то замечания, Вы их исправите?
Как можно оплатить работу?






Рефератыч.рф - это специализированный портал где Вы сможете найти ответы на тесты, заказать курсовую,
реферат или диплом. Почитать статьи и новости нашего портала. Надеемся что будем Вам полезны,
а наша помощь сэконмит Вам кучу времени, для действительно нужных дел! Рады будем Вам помочь!
© Рефератыч.рф



Оплатить легко:


Главная  /  О компании  /  Услуги и цены  /  Гарантии  /  Контакты  /  Экспресс-заказ  /  Оценка стоимости  /  FAQ  /  Способы оплаты  /  Политика конфиденциальности